1、CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路）；

2、COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作； 

3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差；

4、CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）；

5、CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当；

6、CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大；

7、通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。